高周波パッケージ開発および生産技術＜光デバイス＞

年収	400万円～800万円
勤務地	〒409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
職務内容	■高周波パッケージ開発および生産技術業務をご担当いただきます。【具体的には】 ■携帯電話基地局向けGaN－HEMT向け高周波パッケージ開発、および生産技術 ■パッケージ技術開発、試作、製造立上 ■製造工程の問題に対する改善検討
必要な経験・資格	【必須要件】※以下いずれかのご経験をお持ちの方 ■パッケージ製造装置の選定／導入／立上げ経験 ■CAD等による作図経験 ■機構部品の信頼性試験、解析【歓迎要件】 ■高周波、高出力トランジスタ用パッケージ開発経験、または製造技術経験
雇用条件	雇用形態:正社員転勤の有無:場合により有就業時間:8:30～17:15 給与形態:月給制
教育・研修制度	OJT制度、導入研修、階層別研修等

企業情報

基本情報	設立: 2004年資本金: 150億円
事業内容・沿革	■光通信・無線通信用化合物半導体デバイスの設計・開発・製造＜沿革＞ 1984年　前身企業である株式会社富士通山梨エレクトロニクス（後の富士通カンタムデバイス）設立 2004年　住友電気工業株式会社（住友電工）と富士通カンタムデバイス株式会社の電子デバイス事業を統合。住友電工と富士通株式会社の折半出資会社としてユーディナデバイス株式会社が発足 2009年　ユーディナデバイス株式会社を住友電工が100％子会社化（事業分割により住友電工の光・電子デバイスに係る事業を継承）。住友電工デバイス・イノベーション株式会社に商号を変更
企業情報	【概要・特徴】東証プライム上場の住友電気工業（株）傘下の通信機器デバイスメーカー。住友電工と富士通の出資により、2004年に設立されました。光通信用発光・受光デバイス製品と、無線通信用高出力マイクロ波デバイス製品の両方において世界トップ級シェアを持つ唯一のメーカーです。半導体はシリコンが材料になることが多いですが、同社は化合物半導体を製品に使用。近年、高速データ伝送・高効率でありながら低消費電力のデバイスを創出する化合物半導体への期待が高まっており、高性能・高品質な製品開発を追求しています。【強み】主力製品はいずれも国内シェアトップクラスです。同社が開発した化合物半導体材料の窒化ガリウム（GaN）を用いたデバイス「GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）」は、破壊耐圧に強い性質を持ち、高出力で高効率な電子増幅器を実現できるのが特徴。携帯電話網の通信基地局や空港をはじめとする各種レーダーシステムに採用されています。今後は宇宙産業での採用も目指しています。
待遇・福利厚生	【保険】健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金　　　　　　　【諸手当】通勤手当、家族手当、時間外手当　　【休日・休暇】年間120日／（内訳）週休2日制、夏季休暇、年末年始、有給休暇、GW連休、特別休暇【その他】寮・社宅、退職金

コンサルタントコメント

半導体業界トップシェアをもつ企業での募集です。
「化合物半導体」は高度な技術が要求されるため扱える企業が少なく、同社主力製品はいずれも国内でのシェアがトップクラスです。
今後、カーボンニュートラルに向けて低消費電力で大規模の通信を行うことができる「化合物半導体」の需要は更に増加します。
今回は異業界からの転職も可能なため、半導体業界への転職を検討されている技術者の方におすすめです。

お問い合わせ番号　321167