研究開発の転職・求人情報

外資系・日系自動車部品メーカー、完成車メーカーの研究開発の求人を掲載。

研究開発の公開求人

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情報確認日

株式会社アイシン 先行開発<パワーエレクトロニクス機器>

年収 600万円~1000万円
勤務地 愛知県安城市藤井町高根10番地
愛知県安城市に配属予定です。
職務内容 同社にて、以下の業務をご担当いただきます。

【具体的には】
xEV向けパワーエレクトロニクス機器(電力変換機器)の企画・設計・試作・評価、及びパワエレに関する要素技術開発の発掘、原理検証、などの開発業務…
お問い合わせ番号 369470
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情報確認日

株式会社デンソー 研究開発<6G/通信・センシングシステム>

年収 600万円~1200万円
勤務地 東京都品川区,愛知県刈谷市昭和町1丁目1
本社又は東京拠点へ配属予定です。
職務内容 ■同社にて、通信・センシングシステムの研究開発をご担当いただきます。

【具体的には】
・電波伝搬シミュレーション
・チャネルモデリング検討
・国際標準仕様の調査分析
・通信およびセンシング技術の研究開発
お問い合わせ番号 337251
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情報確認日

日本ガイシ株式会社 研究開発<セラミックス材料>

年収 550万円~800万円
勤務地 愛知県名古屋市須田町2番56号
本社へ配属予定です。
在宅勤務:実験業務が主のため、在宅勤務の機会は少ないですが、データ整理、資料作成を在宅で実施することは可能です(月1日程度は実績あり、別途申請要)
職務内容 ■同社にてセラミックスを主とした材料およびプロセスの開発に取り組んでいただきます。
(組成や微構造を制御し競争力のある材料特性を発現させる。開発技術について特許による権利化等の業務も担当する。)

【具…
お問い合わせ番号 336370
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情報確認日

株式会社デンソー デバイスおよびプロセス研究開発<電動車向けインバータ用パワー半導体>

年収 430万円~1200万円
勤務地 愛知県豊田市西広瀬町桐ケ洞543
関連会社に出向予定となります。
職務内容 同社にて、電動車向けインバータ用パワー半導体(SiC-MOSFET)のデバイス設計やデバイスのプロセス加工技術の研究開発及び試作品評価をご担当いただきます。

【具体的には】
・パワーデバイスの企画、構造設計、レ…
お問い合わせ番号 369790
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情報確認日

株式会社デンソー 研究開発<電動車向けインバータ及び電源機器用パワー半導体モジュール>

年収 430万円~1200万円
勤務地 愛知県日進市米野木町南山500-1,愛知県豊田市西広瀬町桐ケ洞543
関連会社に出向予定となります。
職務内容 同社にて、電気自動車やハイブリッド車などに不可欠な次世代パワーエレクトロニクス製品におけるパワー半導体モジュールの要素技術研究開発をご担当いただきます。

【具体的には】
・接合・接着材料・プロセス開発…
お問い合わせ番号 369763
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